（本网讯）近日，电子信息工程学院青年教师坚佳莹博士以第一作者完成的论文“Ultralow-Power RRAM with a High Switching Ratio Based on the Large van der Waals Interstice Radius of TMDs”，在国际顶级期刊《ACS Nano》（IF=18.027）上发表。

低功耗、高开关比是新一代阻变存储器的发展方向，以往的技术无法在降低阻变存储器SET功耗的同时提高其开关比。基于此，坚佳莹博士等人提出了一种通过调节过渡金属硫化物的范德华层间隙半径(r_g)来制备低功耗高开关比阻变存储器的方法，使器件开关比的提高与SET功耗的降低得到了同时实现。发现过渡金属硫化物阻变存储器的SET电压、SET功耗、开关比和耐受性与r_g之间存在很强的相关性。当r_g与形成金属导电细丝的银离子半径之比(r_g/r_Ag+)接近1时，随着r_g/r_Ag+的增大，器件的SET电压和SET功耗垂直下降，开关比垂直上升。所制备的Ag/[SnS₂/PMMA)]/Cu阻变存储器（r_g/r_Ag+=1.04）的SET电压、SET功耗和开关比分别为0.14 V、10^-10W和10⁶，经过10⁴次循环和10⁴s的保持时间后，器件的开关比仍然可以稳定在10⁶以上，综合性能达到了国际领先水平。

论文链接：https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acsnano.2c06728

文：牛艳蓉 审核：陈超波 编辑：张靖唯